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FP1189-G

1/2 - Watt HFET

ProductDescription TheFP1189isahighperformance?-WattHFET(HeterostructureFET)inalow-costSOT-89surface-mountpackage.Thisdeviceworksoptimallyatadrainbiasof+8Vand125mAtoachieve+40dBmoutputIP3performanceandanoutputpowerof+27dBmat1-dBcompression,whilepro

WJCI

WJ Communication. Inc.

FP1189-G

?-Watt HFET

ProductDescription TheFP1189isahighperformance?-WattHFET(HeterostructureFET)inalow-costSOT-89surface-mountpackage.Thisdeviceworksoptimallyatadrainbiasof+8Vand125mAtoachieve+40dBmoutputIP3performanceandanoutputpowerof+27dBmat1-dBcompression,whilepro

WJCI

WJ Communication. Inc.

FP1189-RFID

1/2-WattHFET

ProductDescription TheFP1189isahighperformance?-WattHFET(HeterostructureFET)inalow-costSOT-89surface-mountpackage.Thisdeviceworksoptimallyatadrainbiasof+8Vand125mAtoachieve+40dBmoutputIP3performanceandanoutputpowerof+27dBmat1-dBcompression,whilepro

WJCI

WJ Communication. Inc.

HEB1189

GENERALPURPOSETRANSISTOR

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

ISF1189

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Unidirectional ·BidirectionalDC-DCconverters ·On-BoardbatteryChargers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

LT1189

LowPowerVideoDifferenceAmplifier

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LT1189

LowPowerVideoDifferenceAmplifier

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LT1189

LowPowerVideoDifferenceAmplifier

FEATURES APPLICATIONS nnDifferentialorSingle-EndedGainBlock(Adjustable) nn–3dBBandwidth,AV=±2:50MHz nnSlewRate:165V/μs nnLowSupplyCurrent:13mA nnOutputCurrent:±20mA nnCMRRat10MHz:40dB nnLT1193PinCompatible nnLowCost nnSingle5VOperation nnDrivesCables

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LT1189C

LowPowerVideoDifferenceAmplifier

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LT1189M

LowPowerVideoDifferenceAmplifier

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    FP1189-G

  • 功能描述：

    射頻JFET晶體管 50-4000MHz +27dBm P1dB

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 配置：

    Single

  • 晶體管極性：

    N-Channel 正向跨導(dǎo)

  • gFS（最大值/最小值）：

    電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    漏源電壓

  • VDS：

    40 V

  • 閘/源截止電壓：

    5 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    40 V

  • 最大漏極/柵極電壓：

    40 V 漏極電流（Vgs=0 時的

  • Idss）：

    25 mA to 75 mA

  • 功率耗散：

    250 mW

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOT-23

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TRIQUINT/WJ
21+
sot89
5000
原裝現(xiàn)貨/假一賠十/支持第三方檢驗
 詢價
TRIQUINT
17+
SOT89
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
WJ
23+
SOT89
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
2017+
SMD
1585
只做原裝正品假一賠十!
 詢價
WJ
24+
SOT-89
1450
只做原裝正品
 詢價
WJ
23+
SOT89
8560
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!
 詢價
WJ
18+
SOT-89
85600
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
 詢價
WJ
15+
SOT-89
6698
詢價
TriQuint
16+
NA
3000
全新進(jìn)口原裝
 詢價
WJ
19+
SOT89
16200
原裝正品,現(xiàn)貨特價
 詢價
更多FP1189-G供應(yīng)商 更新時間2025-2-9 13:46:00

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