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FP200R12N3T7分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
FP200R12N3T7 |
| 參數(shù)屬性 | FP200R12N3T7 封裝/外殼為模塊；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：LOW POWER ECONO |
| 功能描述 | EconoPIM?3 module with TRENCHSTOP?IGBT7 and Emitter Controlled 7 diode and NTC |
| 封裝外殼 | 模塊 |
| 文件大小 |
581.9 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
20 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-21 11:22:00 |
| 人工找貨 | FP200R12N3T7價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
FP200R12N3T7規(guī)格書詳情
FP200R12N3T7屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FP200R12N3T7晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
Features
? Electrical features
- VCES = 1200 V
- IC nom = 200 A / ICRM = 400 A
- TRENCHSTOPTM IGBT7
- Overload operation up to 175°C
- Low VCEsat
? Mechanical features
- Integrated NTC temperature sensor
- Solder contact technology
- Copper base plate
- Al2O3 substrate with low thermal resistance
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
FP200R12N3T7B80BPSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 系列：
TRENCHSTOP?
- 包裝：
散裝
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 配置：
三相反相器
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.55V @ 15V，200A
- 輸入：
三相橋式整流器
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝：
AG-ECONO3B
- 描述：
LOW POWER ECONO
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
7098 |
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
SANYO |
21+ |
SOT-89 |
2400 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
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SANYO |
2020+ |
SOT-89 |
80000 |
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23+ |
20000 |
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24+ |
N/A |
82000 |
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SANYO |
1415+ |
SOT89-7 |
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