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FP50R12N2T7P分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

FP50R12N2T7P
廠商型號

FP50R12N2T7P
參數(shù)屬性

FP50R12N2T7P 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：1200 V, 50 A PIM IGBT MODULE
功能描述

EconoPIM?2 module with TRENCHSTOP?IGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermal interface material
1200 V, 50 A PIM IGBT MODULE
封裝外殼

模塊
文件大小

606.18 Kbytes
頁面數(shù)量

20 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-3-29 23:00:00
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FP50R12N2T7P規(guī)格書詳情

FP50R12N2T7P屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FP50R12N2T7P晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

Features

? Electrical features

- VCES = 1200 V

- IC nom = 50 A / ICRM = 100 A

- TRENCHSTOPTM IGBT7

- Low VCE,sat

- Overload operation up to 175°C

? Mechanical features

- High power and thermal cycling capability

- Integrated NTC temperature sensor

- Copper base plate

- Al2O3 substrate with low thermal resistance

- Pre-applied thermal interface material

- Solder contact technology

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    FP50R12N2T7PBPSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列：

    EconoPIM? 2, TRENCHSTOP?

  • 包裝：

    托盤

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 配置：

    三相反相器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.85V @ 15V，25A

  • 輸入：

    三相橋式整流器

  • NTC 熱敏電阻：

    是

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應商器件封裝：

    AG-ECONO2B

  • 描述：

    1200 V, 50 A PIM IGBT MODULE

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