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FQA9N90C-F109中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FQA9N90C-F109
廠商型號(hào)

FQA9N90C-F109

功能描述

N-Channel QFET? MOSFET 900 V, 9 A, 1.4 Ω

絲印標(biāo)識(shí)

FQA9N90C

封裝外殼

TO-3PN

文件大小

1.96537 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-26 18:30:00

FQA9N90C-F109規(guī)格書詳情

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is

produced using ON Semiconductor’s proprietary planar

stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET

technology has been especially tailored to reduce on-state

resistance, and to provide superior switching performance and

high avalanche energy strength. These devices are suitable for

switched mode power supplies, active power factor correction

(PFC), and electronic lamp ballasts.

Features

? 9 A, 900 V, RDS(on) = 1.4 Ω (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 4.5 A

? Low Gate Charge (Typ. 45 nC)

? Low Crss . 14 pF)

? 100 Avalanche Tested

? RoHS compliant

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
23+
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