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FQB5N50CFTM中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQB5N50CFTM
廠商型號

FQB5N50CFTM
功能描述

500V N-Channel MOSFET
文件大小

700.6 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

FAIRCHILD【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-5 9:08:00
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FQB5N50CFTM規(guī)格書詳情

Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

Features

? 5A, 500V, RDS(on) = 1.55 ? @VGS = 10 V

? Low gate charge ( typical 18nC)

? Low Crss ( typical 15pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    FQB5N50CFTM

  • 功能描述：

    MOSFET 500V 5A NCH MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

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