首頁>FQB9N50CFTM_WS>規(guī)格書詳情

FQB9N50CFTM_WS中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQB9N50CFTM_WS
廠商型號

FQB9N50CFTM_WS

功能描述

500V N-Channel MOSFET

文件大小

747.58 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

FAIRCHILD仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-5-28 20:03:00

人工找貨

FQB9N50CFTM_WS價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

FQB9N50CFTM_WS規(guī)格書詳情

Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

Features

? 9A, 500V, RDS(on) = 0.85 ? @VGS = 10 V

? Low gate charge ( typical 28nC)

? Low Crss ( typical 24pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQB9N50CFTM_WS

  • 功能描述:

    MOSFET 500V 9A N-CH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
21+
TO-263-3
8080
只做原裝,質量保證
詢價
FAIRCHILD
08+
TO-263
4381
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
ON/安森美
23+
TO-263-3
8080
正規(guī)渠道,只有原裝!
詢價
三年內
1983
只做原裝正品
詢價
FAIRCHILD/仙童
21+
TO263
1709
詢價
FAIRCHI
2016+
TO-263
6528
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十
詢價
ON/安森美
21+
SMD
30000
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅
詢價
ON/安森美
24+
TO-263-3
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
詢價
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
詢價
FAIRCHILD/仙童
22+
TO263
12245
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
詢價