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FQD630中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FQD630
廠商型號(hào)

FQD630

功能描述

200V N-Channel MOSFET

文件大小

775.78 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

FAIRCHILD仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
FAIRCHILD
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-3 10:28:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FQD630

  • 功能描述:

    MOSFET 200V N-Ch QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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