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FQD7N20LTM中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQD7N20LTM
廠商型號

FQD7N20LTM

功能描述

N-Channel QFET? MOSFET

文件大小

762.32 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-24 23:00:00

FQD7N20LTM規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation modes. These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters, switch mode power supplies, and motor control.

Features

? 5.5A, 200V, RDS(on) = 0.75? @VGS = 10 V

? Low gate charge ( typical 6.8 nC)

? Low Crss ( typical 8.5 pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

? Low level gate drive requirement allowing direct operation from logic drivers

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQD7N20LTM

  • 功能描述:

    MOSFET 200V N-Channel Logic Level QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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