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FS50R07N2E4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

FS50R07N2E4
廠商型號

FS50R07N2E4

參數(shù)屬性

FS50R07N2E4 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 650V 70A 190W

功能描述

EconoPACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
IGBT MODULE 650V 70A 190W

封裝外殼

模塊

文件大小

536.62 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-25 11:10:00

FS50R07N2E4規(guī)格書詳情

FS50R07N2E4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FS50R07N2E4晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    FS50R07N2E4BOSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列:

    EconoPACK? 2

  • 包裝:

    托盤

  • 配置:

    全橋反相器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.95V @ 15V,50A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模塊

  • 描述:

    IGBT MODULE 650V 70A 190W

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
-
23+
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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Infineon
23+
MODULE
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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