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FTD1781KQLT1G

Marking：AFQ；Package：sot-23；Medium Power Transistor

Features 1)VerylowVCE(sat). VCE(sat)0.4V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) 2)Highcurrentcapacityincompactpackage. 3)ComplementstheFTB1197K 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontran

FS

First Silicon Co., Ltd

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更多FTD1781KQLT1G供應(yīng)商 更新時間2025-2-1 9:30:00

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