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FZ3600R17HE4

IHM-B Modul

ElectricalFeatures ?ExtendedoperatingtemperatureTvjop ?Lowswitchinglosses ?LowVCEsat ?Tvj=150°C MechanicalFeatures ?4kVAC1mininsulation ?PackagewithCTI>400 ?Highcreepageandclearancedistances ?Highpowerdensity ?IHMBhousing ?Copperbaseplate

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FZ3600R17HE4P

IHM-B Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FZ3600R17HE4HOSA2

Package:模塊;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MODULE 1700V 7200A

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FZ3600R17HE4PHPSA1

Package:模塊;包裝:托盤 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MODULE 1700V 7200A

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    FZ3600R17HE4

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 IGBT 1700V 3600A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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INFINEON/英飛凌
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module
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AI智能識別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站
詢價(jià)
更多FZ3600R17HE4供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 8:12:00