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FZT851TA

60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223

Features ?BVCEO>60V ?IC=6AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=20APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)

DIODES

Diodes Incorporated

FZT851TA

60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR

DIODES

Diodes Incorporated

FZT851TA

Package：TO-261-4，TO-261AA；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 60V 6A SOT223-3

PAM

Diodes Incorporated

GI851

FastSwitchingPlasticRectifier

FEATURES ?Fastswitchingforhighefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowleakagecurrent ?Highforwardsurgecapability ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandin ??accordancetoWEEE2002/96/EC TYPICALAPPLICATIONS ??Forusei

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

GI851

FASTSWITCHINGPLASTICRECTIFIER

FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ?Highsurgecurrentcapability ?Fastswitchingforhighefficiency ?Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ?Highforwardcurrentoperation ?Hightemperaturesolderingguaranteed:2

GE

GE Industrial Company

GI851

FastSwitchingPlasticRectifier

FEATURES ?Fastswitchingforhighefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowleakagecurrent ?Highforwardsurgecapability ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

INA851

INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithOptionalAttenuatingGain

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

INA851

INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithAttenuatingGainandOutputClamping

1Features ?Gainprogrammablefrom G=0.2to10,000byusingexternalresistor ?Fullydifferentialoutputswithintegratedclamping ?Lowoffsetvoltage:10μV(typ),35μV(max) ?Lowoffsetdrift:0.1μV/°C(typ),0.3μV/°C(max) ?Lowinputbiascurrent:5nA(typ) ?Inputstagenoise

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

INA851

PGA855Low-Noise,Wide-Bandwidth,FullyDifferentialOutputProgrammable-GainInstrumentationAmplifier

1Features ?Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=?,?,?,1,2,4,8,and16 ?Lowgainerrordrift:2ppm/°C(max) ?Fullydifferentialoutputs –Independentoutputpower-supplypins –Outputcommon-modecontrol ?Fastersignalprocessing: –Widebandwidth:10MHzatallgains

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

INA851

PGA855Low-Noise,Wide-Bandwidth,FullyDifferentialOutputProgrammable-GainInstrumentationAmplifier

1Features ?Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=?,?,?,1,2,4,8,and16 ?Lowgainerrordrift:1ppm/°C(max)atG=1V/V ?Fullydifferentialoutputs –Independentoutputpower-supplypinstoallow forADCinputoverdriveprotection –Outputcommon-modecontrol ?Faster

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FZT851TA

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類(lèi)型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    375mV @ 300mA，6A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 2A，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    130MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-223-3

  • 描述：

    TRANS NPN 60V 6A SOT223-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Diodes Incorporated
24+
TO-261-4,TO-261AA
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢(xún)價(jià)
DIODES
24+
SOT223
9700
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨假一罰十
 詢(xún)價(jià)
DIODES/美臺(tái)
2019+
SOT223
78550
原廠渠道 可含稅出貨
 詢(xún)價(jià)
ZETEX
24+
SOT-223
2000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢(xún)價(jià)
DIODES/美臺(tái)
20+
SOT-223
120000
原裝正品 可含稅交易
 詢(xún)價(jià)
DIODES
22+
12000
華南區(qū)總代
 詢(xún)價(jià)
DIODES(美臺(tái))
23+
SOT-223
8498
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
 詢(xún)價(jià)
DIODES
23+
SOT-223
68950
原裝/支持-工廠-含稅-拆樣
 詢(xún)價(jià)
DIODESINCORPORATED
24+
SOT-223(TO-261-4SC-7
160841
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
DIODES/美臺(tái)
SOT-223
23+
6000
專(zhuān)業(yè)配單原裝正品假一罰十
 詢(xún)價(jià)
更多FZT851TA供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-31 10:12:00

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