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G2K6P25T中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

G2K6P25T
廠商型號(hào)

G2K6P25T

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

G2K6P25

封裝外殼

TO-220

文件大小

976.34 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡(jiǎn)稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-4-10 12:20:00

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G2K6P25T規(guī)格書詳情

Description

The G2K6P25T uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide

variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VISHAY/威世
22+
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162014
原裝正品現(xiàn)貨,可開(kāi)13個(gè)點(diǎn)稅
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專營(yíng)繼電器只做原裝正品假一賠十!
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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VISHAY/威世
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