GA03JT12-247_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-單個(gè)-GENESIC SEMICONDUCTOR

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原廠料號(hào):GA03JT12-247品牌:GeneSiC Semiconductor

資料說(shuō)明:TRANS SJT 1200V 3A TO247AB

GA03JT12-247是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)。制造商GENESIC SEMICONDUCTOR生產(chǎn)封裝TO-247-3的GA03JT12-247晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

  • 芯片型號(hào):

    ga03jt12-247

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    GENESIC SEMICONDUCTOR詳情

  • 廠商全稱:

    GeneSiC Semiconductor

  • 資料說(shuō)明:

    TRANS SJT 1200V 3A TO247AB

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    GA03JT12-247

  • 制造商:

    GeneSiC Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 技術(shù):

    SiC(碳化硅結(jié)晶體管)

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    3A(Tc)(95°C)

  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):

    460 毫歐 @ 3A

  • 功率耗散(最大值):

    15W(Tc)

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AB

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 描述:

    TRANS SJT 1200V 3A TO247AB

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