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GD25Q16EEIGR

Package：8-XFDFN 裸露焊盤；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：16MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON 3*2

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易創(chuàng)新北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

HM25Q16A

3V4M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

HM25Q16B

3V4M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

HM25Q16C

3V4M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

P25Q16L

UltraLowPower,16M-bit

2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with

PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

普冉股份普冉半導體(上海)股份有限公司

P25Q16LA-NXH-IR

UltraLowPower,16M-bit

2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with

PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

普冉股份普冉半導體(上海)股份有限公司

P25Q16LA-NXH-IT

UltraLowPower,16M-bit

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PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

普冉股份普冉半導體(上海)股份有限公司

P25Q16LA-NXH-IW

UltraLowPower,16M-bit

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PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

普冉股份普冉半導體(上海)股份有限公司

P25Q16LA-NXH-IY

UltraLowPower,16M-bit

2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with

PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

普冉股份普冉半導體(上海)股份有限公司

P25Q16LA-NXH-KR

UltraLowPower,16M-bit

2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with

PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

普冉股份普冉半導體(上海)股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    GD25Q16EEIGR

  • 制造商：

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術：

    FLASH - NOR

  • 存儲容量：

    16Mb（2M x 8）

  • 存儲器接口：

    SPI - 四 I/O

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    70μs，2ms

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-XFDFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝：

    8-USON（2x3）

  • 描述：

    16MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON 3*2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多GD25Q16EEIGR供應商 更新時間2025-5-29 17:42:00

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