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GD25Q32ETIGR

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：32MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 150

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易創(chuàng)新北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

P25Q32H

UltraLowPower,32M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet

2Description The P25Q32HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with

PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

普冉股份普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司

P25Q32HA-NXH-IR-X

UltraLowPower,32M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet

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PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

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PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

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PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

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PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

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PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GD25Q32ETIGR

  • 制造商：

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NOR

  • 存儲(chǔ)容量：

    32Mb（4M x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    SPI - 四 I/O

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    70μs，2.4ms

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOP

  • 描述：

    32MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 150

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
GD(兆易創(chuàng)新)
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更多GD25Q32ETIGR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-24 10:21:00

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