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GT50JR21(STA1,E,S)_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Toshiba Semiconductor and Storage

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25+
  • 廠家型號(hào)：

    GT50JR21(STA1,E,S)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    0

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單

  • 封裝外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-4 11:06:00

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原廠料號(hào)：GT50JR21(STA1,E,S)品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說(shuō)明：PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

GT50JR21(STA1,E,S)是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝TO-3P-3，SC-65-3的GT50JR21(STA1,E,S)晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    gt50jr21(sta1,e,s)

  • 規(guī)格書(shū)：

    原廠下載 下載

  • 資料說(shuō)明：

    PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GT50JR21(STA1,E,S)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，50A

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P（N）

  • 描述：

    PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
24+
N/A
72000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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