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GT50JR22(STA1,E,S)

Package:TO-3P-3,SC-65-3;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

50JR22

DiscreteIGBTsSiliconN-ChannelIGBT

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT50JR22

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.2V@IC=50A ·HighSpeedSwitching ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·IndustrialPowerSupplies ·IndustrialDrives ·SolarInverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

GT50JR22

DiscreteIGBTsSiliconN-ChannelIGBT

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    GT50JR22(STA1,E,S)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,50A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P(N)

  • 描述:

    PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
24+
N/A
57000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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Toshiba Semiconductor and Stor
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TO-3P-3 SC-65-3
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更多GT50JR22(STA1,E,S)供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-25 11:06:00