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GT60M301

N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS)

DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT60M301

Discrete IGBTs

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    GT60M301

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL

  • 制造商:

    Toshiba

  • 功能描述:

    900V 60A Cut Tape

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多GT60M301供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-25 10:32:00