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GT60N321分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

GT60N321
廠商型號

GT60N321

參數屬性

GT60N321 封裝/外殼為TO-3PL;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

功能描述

Bipolar Small-Signal Transistors

封裝外殼

TO-3PL

文件大小

1.58274 Mbytes

頁面數量

73

生產廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-3-21 19:54:00

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GT60N321規(guī)格書詳情

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F

Toshiba 30F126 GT30F126

Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html

Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)

: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

產品屬性

  • 產品編號:

    GT60N321(Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,60A

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    330ns/700ns

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3PL

  • 供應商器件封裝:

    TO-3P(LH)

  • 描述:

    IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

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