GT60N321分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
GT60N321 |
參數屬性 | GT60N321 封裝/外殼為TO-3PL;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
功能描述 | Bipolar Small-Signal Transistors |
封裝外殼 | TO-3PL |
文件大小 |
1.58274 Mbytes |
頁面數量 |
73 頁 |
生產廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱 | 株式會社東芝官網 |
原廠標識 | ![]() |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-3-21 19:54:00 |
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GT60N321規(guī)格書詳情
MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F
Toshiba 30F126 GT30F126
Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html
Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)
: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf
產品屬性
- 產品編號:
GT60N321(Q)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.8V @ 15V,60A
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
330ns/700ns
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-3PL
- 供應商器件封裝:
TO-3P(LH)
- 描述:
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOS |
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