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GTRA262802FC-V2-R0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

GTRA262802FC-V2-R0
廠商型號(hào)

GTRA262802FC-V2-R0

參數(shù)屬性

GTRA262802FC-V2-R0 封裝/外殼為H-37248C-4;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:280W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 250 W, 48 V, 2490 – 2690 MHz
280W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH

封裝外殼

H-37248C-4

文件大小

515.1 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-14 15:00:00

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GTRA262802FC-V2-R0規(guī)格書(shū)詳情

GTRA262802FC-V2-R0屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的GTRA262802FC-V2-R0晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The GTRA262802FC is a 250-watt (P3dB) GaN on SiC high electron

mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power

amplifier applications. It features input matching, high efficiency,

and a thermally-enhanced package with earless flange.

Features

? GaN on SiC HEMT technology

? Input matched

? Typical pulsed CW performance, 2605 MHz, 48 V,

combined outputs, 16 μs pulse width, 10 duty

cycle

- Output power at P3dB = 250 W

- Efficiency = 62

- Gain = 14.4 dB

? Capable of handling 10:1 VSWR @48 V, 38 W (CW)

output power

? Human Body Model Class 1A (per ANSI/ESDA/

JEDEC JS-001)

? Low thermal resistance

? Pb-free and RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    GTRA262802FC-V2-R0

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GaN

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    HEMT

  • 頻率:

    2.49GHz ~ 2.69GHz

  • 增益:

    14dB

  • 功率 - 輸出:

    250W

  • 封裝/外殼:

    H-37248C-4

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-37248C-4

  • 描述:

    280W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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