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GTVA262701FA-V2-R2分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

GTVA262701FA-V2-R2
廠商型號

GTVA262701FA-V2-R2
參數(shù)屬性

GTVA262701FA-V2-R2 封裝/外殼為H-87265J-2；包裝為帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2620 ??2690 MHz
封裝外殼

H-87265J-2
文件大小

489 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Cree, Inc
企業(yè)簡稱

Cree【科銳】

中文名稱

科銳官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-3-29 20:00:00
人工找貨

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    GTVA262701FA-V2-R2

  • 制造商：

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 系列：

    GaN

  • 包裝：

    帶

  • 晶體管類型：

    HEMT

  • 頻率：

    2.62GHz ~ 2.69GHz

  • 增益：

    17dB

  • 功率 - 輸出：

    270W

  • 封裝/外殼：

    H-87265J-2

  • 供應商器件封裝：

    H-87265J-2

  • 描述：

    270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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