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GW30NC60KD中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GW30NC60KD
廠商型號

GW30NC60KD

功能描述

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

文件大小

349 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-29 23:00:00

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GW30NC60KD規(guī)格書詳情

Description

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH? process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.

Features

■ Low on-voltage drop (VCE(sat))

■ Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility)

■ Short circuit withstand time 10 μs

■ IGBT co-packaged with ultra fast free-wheeling diode

Applications

■ High frequency inverters

■ Motor drivers

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    GW30NC60KD

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全稱:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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