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H11B1VM

General Purpose 6-Pin Photodarlington Optocoupler

Description The4N29M,4N30M,4N32M,4N33M,H11B1MandTIL113Mhaveagalliumarsenideinfraredemitteropticallycoupledtoasiliconplanarphotodarlington. Features ■Highsensitivitytolowinputdrivecurrent ■MeetsorexceedsallJEDECRegisteredSpecifications ■UL,C-ULapproved,Fil

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

H11B1X

OPTICALLYCOUPLEDISOLATORPHOTODARLINGTONOUTPUT

DESCRIPTION TheH11B_seriesofopticallycoupledisolatorsconsistofaninfraredlightemittingdiodeandNPNsiliconphotodarlingtoninaspaceefficientdualinlineplasticpackage. FEATURES ●Options:- 10mmleadspread-addGafterpartno. Surfacemount-addSMafterpartno.

ISOCOM

ISOCOM COMPONENTS

HZ11B1

Glass-EncapsulateDiodes

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

HZ11B1

SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply

Features ?Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. ?Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

HZ11B1

SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply

Features ?Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. ?Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HZ11B1

SILICONEPITAXIALPLANERZENERDIODES

forstabilizedpowersupply Features ?Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. ?Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

HZS11B1

SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HZU11B1

SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforStabilizer

Features ?UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign. ?Thesediodesaredeliveredtaped.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HZU11B1L

SiliconPlanarZenerDiodeforLowNoiseApplication

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

KMZ11B1

Magneticfieldsensor

DESCRIPTION TheKMZ11B1isasensitivemagneticfieldsensor,employingthemagnetoresistiveeffectofthin-filmpermalloy.Itspropertiesenablethissensortobeusedinawiderangeofapplicationsforcurrentandfieldmeasurement,revolutioncounters,angularorlineardisplacementsensors,

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細參數(shù)

  • 型號：

    H11B1VM

  • 功能描述：

    晶體管輸出光電耦合器 Photodarlington

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 輸入類型：

    DC

  • 最大集電極/發(fā)射極電壓：

    70 V

  • 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：

    0.4 V

  • 絕緣電壓：

    5300 Vrms

  • 電流傳遞比：

    100 % to 200 %

  • 最大正向二極管電壓：

    1.65 V

  • 最大輸入二極管電流：

    60 mA

  • 最大集電極電流：

    100 mA

  • 最大功率耗散：

    100 mW

  • 最大工作溫度：

    + 110 C

  • 最小工作溫度：

    - 55 C

  • 封裝/箱體：

    DIP-4

  • 封裝：

    Bulk

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多H11B1VM供應(yīng)商 更新時間2025-4-17 15:14:00

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