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H11F1M_隔離器 光隔離器-晶體管光電輸出-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號：H11F1M品牌：onsemi

資料說明：OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

H11F1M是隔離器 > 光隔離器 - 晶體管，光電輸出。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝6-DIP（0.300"，7.62mm）的H11F1M光隔離器 - 晶體管，光電輸出晶體管或光電輸出光隔離器通常出于安全或功能性原因，使用光來跨過電絕緣層進(jìn)行信息傳輸。與其他光隔離器類型的區(qū)別在于，它們使用簡單的光電晶體管或光伏電池（太陽能電池）作為輸出設(shè)備。這些器件的輸出不需要外部電源即可運(yùn)行，并且具有模擬特性，因此可用于在無法實(shí)現(xiàn)電連接的電路之間傳輸模擬信息。

  • 芯片型號：

    h11f1m

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    H11F1M

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    隔離器 > 光隔離器 - 晶體管，光電輸出

  • 包裝：

    管件

  • 電壓 - 隔離：

    7500Vpk

  • 接通 / 關(guān)斷時(shí)間（典型值）：

    45μs，45μs（最大）

  • 輸入類型：

    DC

  • 輸出類型：

    MOSFET

  • 電壓 - 輸出（最大值）：

    30V

  • 電壓 - 正向 (Vf)（典型值）：

    1.3V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 100°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    6-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    6-DIP

  • 描述：

    OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
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DIP-6
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onsemi
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6-DIP(0.300,7.62mm)
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