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H30R1103

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

Features: ?Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly ?Verytightparameterdistribution ?Highruggedness,temperaturestablebehavior ?LowVCEsat ?Easyparallelswitchingcapabilityduetopositivetemperature coefficientinVCEsat ?LowEMI ?QualifiedaccordingtoJEDECfo

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多H30R1103供應商 更新時間2025-2-12 9:54:00

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