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H649A中文資料華昕數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

H649A
廠商型號(hào)

H649A

功能描述

SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

文件大小

32.57 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Hi-Sincerity Mocroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

HSMC華昕

中文名稱(chēng)

華昕科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-22 23:00:00

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H649A規(guī)格書(shū)詳情

Description

Low frequency power amplifier complementary pair with HSD669A.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

? Maximum Temperatures

Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150 °C

Junction Temperature.................................................................................... +150 °C Maximum

? Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation ........................................................................................................ 1 W

Total Power Dissipation (Tc=25°C) ..................................................................................... 20 W

? Maximum Voltages and Currents

BVCBO Collector to Base Voltage.................................................................................... -180 V

BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................. -160 V

BVEBO Emitter to Base Voltage........................................................................................... -5 V

IC Collector Current (DC) .................................................................................................. -1.5 A

IC Collector Current (Pulse) ................................................................................................ -3 A

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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