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HFP830

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription ThisPowerMOSFETisproducedusingplanarstripe,DMOStechnology.Thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,haveahighruggedavalanchecharacteristics.Thisdevicesisspeciallywellsuitedforhalfbridgeandfullbridgeresonant

HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

華汕電子器件汕頭華汕電子器件有限公司

Huashan

HFP830

500V N-Channel MOSFET

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

SEMIHOW

HFP830

MOSFET

SemiHow

SemiHow Co.,Ltd.

SemiHow

HFP830

場效應(yīng)管

HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

華汕電子器件汕頭華汕電子器件有限公司

Huashan

HFP830

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

etc2

技術(shù)參數(shù)

  • ID(A)：

    4.50

  • PD(W)：

    73.00

  • RDS(ON)@VGS =10V(Ω)：

    1.50

  • 封裝形式PACKAGE：

    TO-220

  • 腳位 Pin：

    GDS

  • 替代型號EQUIVALENTTYPE：

    IRF830

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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TO-220
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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SEMIHOW
23+
TO-220
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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更多HFP830供應(yīng)商 更新時間2025-8-3 16:59:00

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