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HG3019D

中低壓MOS(20-150V);

HXC-PowerDongguan Huihai Semiconductor Co., Ltd

惠海半導(dǎo)體東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司

HM3019

NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifierandswitchingrequiringcollectorcurrents1A

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

華昕華昕科技有限公司

ISBL3019N

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=300V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=3.0V(Max)@IC=8A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

LM3019

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

HG-302C

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AKMAsahi Kasei Microsystems

旭化成微電子旭化成微電子株式會(huì)社

相關(guān)企業(yè):深圳市中邦力信電子科技有限公司

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更多HG3019D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 14:13:00