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HGTD7N60C3S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
HGTD7N60C3S |
參數(shù)屬性 | HGTD7N60C3S 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 14A TO252AA |
功能描述 | 14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs |
封裝外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
144.51 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Intersil Corporation |
企業(yè)簡稱 |
Intersil |
中文名稱 | Intersil Corporation官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-3-29 18:02:00 |
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HGTD7N60C3S規(guī)格書詳情
The HGTD7N60C3S and HGTP7N60C3 are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.
The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and drivers for solenoids, relays and contactors.
Features
? 14A, 600V at TC = 25°C
? 600V Switching SOA Capability
? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150°C
? Short Circuit Rating
? Low Conduction Loss
?
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
HGTD7N60C3S9A
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,7A
- 開關(guān)能量:
165μJ(開),600μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-252AA
- 描述:
IGBT 600V 14A TO252AA
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
P-TO220-3-1 |
69820 |
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詢價(jià) | ||
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