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HGTG30N60C3分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG30N60C3
廠商型號

HGTG30N60C3

參數(shù)屬性

HGTG30N60C3 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 63A TO247-3

功能描述

63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

99.55 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-19 9:15:00

HGTG30N60C3規(guī)格書詳情

The HGTG30N60C3 is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.

Features

? 63A, 600V at TC = 25°C

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 230ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HGTG30N60C3D

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    1.05mJ(開),2.5mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 63A TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INTERSIL
05+
原廠原裝
4402
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)
詢價
出廠價
21+
TO-247
3891
全新原裝虧本出
詢價
FAIRCHIL
23+
TO-247
8600
全新原裝現(xiàn)貨
詢價
FSC/ON
23+
原包裝原封 □□
9501
原裝進口特價供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細咨詢 庫存
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