首頁(yè)>熱銷(xiāo)型號(hào)第149頁(yè)>HGTG5N120BND>詳情

HGTG5N120BND_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：HGTG5N120BND品牌：onsemi

資料說(shuō)明：IGBT NPT 1200V 21A TO247-3

HGTG5N120BND是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)NSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-247-3的HGTG5N120BND晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    hgtg5n120bnd

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT NPT 1200V 21A TO247-3

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HGTG5N120BND

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類(lèi)型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，5A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    450μJ（開(kāi)），390μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    22ns/160ns

  • 測(cè)試條件：

    960V，5A，25 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT NPT 1200V 21A TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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只做原裝 假一賠十
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