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IRS2103

HALF-BRIDGEDRIVER

Description TheIRS2103isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthigh-andlow-sidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTT

IRF

International Rectifier

IRS2103

HALF-BRIDGEDRIVER

IRF

International Rectifier

IRS2103PBF

HALF-BRIDGEDRIVER

Description TheIRS2108/IRS21084arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthigh-andlow-sidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOS

IRF

International Rectifier

IRS2103PBF

HALF-BRIDGEDRIVER

Description TheIRS2103isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthigh-andlow-sidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTT

IRF

International Rectifier

IRS2103PBF

HALF-BRIDGEDRIVER

Description TheIRS2103isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthigh-andlow-sidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTT

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRS2103SPBF

HALF-BRIDGEDRIVER

Description TheIRS2103isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthigh-andlow-sidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTT

IRF

International Rectifier

IRS2103SPBF

HALF-BRIDGEDRIVER

Description TheIRS2103isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthigh-andlow-sidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTT

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRS2103STRPBF

HALF-BRIDGEDRIVER

Description TheIRS2103isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthigh-andlow-sidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTT

IRF

International Rectifier

ISG2103

TrenchgateField-StopIGBT

DESCRIPTION ·1200V,40A ·HighSpeedSwitching ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·WeldingMachines ·UPS&SolarInverters ·VeryHighSwitchingFrequencyApplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

JMCL2103F-D

CircularConnectorsforSolderTerminationsConformingtoJIS-C-5432

◆FEATURES 1.MiniatureandHighDensity Thecontactsavailableinthisseriesare#20and#16 2.5KeystoPreventMismating Theshellhasfivekeys.Alternateinsertpositionseliminatetheconnectormismatingifmorethanoneconnector withthesamesizeandarrangementistobeusedina

DDK

DDK Ltd.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HIP2103FBZ-T7A

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 全半橋驅(qū)動器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 輸出配置：

    半橋

  • 應(yīng)用：

    DC 電機，通用

  • 負載類型：

    電感，電容性，電阻

  • 技術(shù)：

    NMOS

  • 導(dǎo)通電阻（典型值）：

    2.3 歐姆 LS，2.3 歐姆 HS

  • 電流 - 輸出/通道：

    150mA

  • 電流 - 峰值輸出：

    2A

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 14V

  • 電壓 - 負載：

    4.5V ~ 60V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 故障保護：

    限流，擊穿，UVLO

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    HIP2103FBZ-T7A

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多HIP2103FBZ-T供應(yīng)商 更新時間2025-6-6 11:08:00

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