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HMC-ALH311RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料

HMC-ALH311
廠商型號

HMC-ALH311
參數(shù)屬性

HMC-ALH311 封裝/外殼為模具；包裝為卷帶（TR）；類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器；產(chǎn)品描述：IC RF AMP GP 22GHZ-26.5GHZ DIE
功能描述

GaAs HEMT MMIC LOW NOISE DRIVER AMPLIFIER
IC RF AMP GP 22GHZ-26.5GHZ DIE
封裝外殼

模具
文件大小

273.15 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 Analog Devices
企業(yè)簡稱

AD【亞德諾】

中文名稱

亞德諾半導體技術有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-28 16:08:00

HMC-ALH311規(guī)格書詳情

HMC-ALH311屬于RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器。由亞德諾半導體技術有限公司制造生產(chǎn)的HMC-ALH311射頻放大器在射頻應用中，射頻放大器產(chǎn)品可用于信號增益和緩沖。這些產(chǎn)品與通用運算放大器的不同之處在于，它們通常適用于更高的頻率，更傾向于提供不可調(diào)節(jié)的固定增益，并且輸入或輸出阻抗值符合常用傳輸線特性阻抗。

General Description

The HMC-ALH311 is a GaAs MMIC HEMT Low Noise Driver Amplifi er die which operates between 22 and 26.5 GHz. The amplifi er provides 25 dB of gain, a typical noise fi gure of 3 dB at 25 GHz, and +12 dBm of output power at 1 dB gain compression while requiring only 52 mA from a +2.5V supply voltage. The HMC-ALH311 is ideal for microwave radio driver amplifi er applications between 22 to 26.5 GHz. Due to its small size, the HMC-ALH311 die is ideal for integration into Multi-Chip-Modules (MCMs).

Features

P1dB Output Power: +12 dBm

Gain: 25 dB

Noise Figure: 3 dB @ 25 GHz

Supply Voltage: +2.5V @ 52 mA

Die Size: 1.80 x 0.73 x 0.1 mm

Typical Applications

This HMC-ALH311 is ideal for:

? Point-to-Point Radios

? Point-to-Multi-Point Radios

? Military & Space

? Test Instrumentation

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    HMC-ALH311

  • 制造商：

    Analog Devices Inc.

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 頻率：

    22GHz ~ 26.5GHz

  • P1dB：

    12dBm

  • 增益：

    25dB

  • 噪聲系數(shù)：

    3.5dB

  • 射頻類型：

    通用

  • 電壓 - 供電：

    2.5V

  • 電流 - 供電：

    52mA

  • 測試頻率：

    22GHz ~ 24GHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    模具

  • 供應商器件封裝：

    模具

  • 描述：

    IC RF AMP GP 22GHZ-26.5GHZ DIE

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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