HMC1126

GaAs、pHEMT、低噪聲放大器，400 MHz至52 GHz

HMC1126ACEZ是一種砷化鎵（GaAs）、偽晶高電子遷移率晶體管（pHEMT）、低噪聲放大器，工作頻率為400MHz至52GHz。HMC1126ACEZ提供12 dB的典型增益、28.5 dBm的典型輸出三階截距（OIP3）、17.5 dBm的1 dB增益壓縮（OP1dB）的典型輸出功率以及3.5 dB的10 GHz至26 GHz的典型噪聲系數(shù)。HMC1126ACEZ需要85 mA的5 V電源。所有通常需要的外部無(wú)源元件（交流耦合電容器和電源去耦電容器）都是集成的，這有助于實(shí)現(xiàn)小型和緊湊的印刷電路板（PCB）占地面積。\n\n HMC1126ACEZ采用5.00 mm × 5.; ? 增益：12 dB（典型值，10 GHz至26 GHz時(shí)）\n\n? 輸入回波損耗：14 dB（典型值，10 GHz至26 GHz時(shí)）\n\n? 輸出回波損耗：16 dB（典型值，10 GHz至40 GHz時(shí)）\n\n? OP1dB：17.5 dB（典型值，10 GHz至26 GHz時(shí)）\n\n? PSAT：21 dBm（典型值，10 GHz至26 GHz時(shí)）;

HMC1126

MMIC, Power Amplifier

HMC1126-Die

GaAs、pHEMT、MMIC、功率放大器，2 GHz至50 GHz

HMC1126是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)、分布式功率放大器，工作頻率范圍為2 GHz至50 GHz。HMC1126提供11 dB的增益、28 dBm輸出IP3及17.5 dBm的輸出功率（1 dB增益壓縮時(shí)），功耗為65 mA（5 V電源）。\n\n HMC1126放大器輸入/輸出內(nèi)部匹配50 ?，可方便地集成至多芯片模塊(MCM)。所有數(shù)據(jù)均由通過至少0.31 mm (12 mil)的兩條0.025 mm (1 mil)線焊連接的芯片獲取。\n\n; ? 針對(duì)1 dB壓縮(P1dB)的輸出功率：17.5 dB（典型值）\n\n? 飽和輸出功率(PSAT)：21 dBm（典型值）\n\n? 增益：11 dB（典型值）;

HMC1126G

GaAs, pHEMT, Low Noise Amplifier, 400 MHz to 52 GHz

The HMC1126ACEZ is a gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transfer (pHEMT), low noise amplifier that operates from 400 MHz to 52 GHz. The HMC1126ACEZ provides 12 dB of typical gain, 28.5 dBm typical output third-order intercept (OIP3), 17.5 dBm typical output power at 1 dB g; ? Gain: 12 dB typical at 10 GHz to 26 GHz\n? Input return loss: 14 dB typical at 10 GHz to 26 GHz\n? Output return loss: 16 dB typical at 10 GHz to 40 GHz\n? OP1dB: 17.5 dB typical at 10 GHz to 26 GHz\n? PSAT: 21 dBm typical at 10 GHz to 26 GHz\n? OIP3: 28.5 dBm typical at 10 GHz to 26 GHz\n? Noise ;

HMC1126ACEZ

GaAs, pHEMT, Low Noise Amplifier, 400 MHz to 52 GHz

HMC1126ACEZ-R7

GaAs, pHEMT, Low Noise Amplifier, 400 MHz to 52 GHz

HMC1126-EVALZ

GaAs, pHEMT, Low Noise Amplifier, 400 MHz to 52 GHz

HMC1126-SX

MMIC, Power Amplifier

HMC1126ACEZ-R7

Package：24-LFLGA 裸露焊盤；包裝：托盤 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：24-LGA