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HMC8119-SX	文件：510.07 Kbytes Page：27 Pages	81 GHz to 86 GHz, E-Band I/Q Upconverter	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
HMC8119-SX	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：盒封裝/外殼：模具類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器描述：IC RF AMP 81GHZ-86GHZ DIE	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
PM-8119	文件：127 Kbytes Page：4 Pages	T1/CEPTQUADPORTSMDISOLATIONTRANSFORMERS	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
S8119	文件：320.53 Kbytes Page：4 Pages	PhotoICforopticalswitch	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 濱松光子濱松光子學(xué)株式會(huì)社	HAMAMATSU
SE8119	文件：232.94 Kbytes Page：6 Pages	800mAPositiveVoltageRegulators	SEAWARDSEAWARD electronics inc 思旺北京思旺電子技術(shù)有限公司	SEAWARD
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SE8119AKXLF	文件：232.94 Kbytes Page：6 Pages	800mAPositiveVoltageRegulators	SEAWARDSEAWARD electronics inc 思旺北京思旺電子技術(shù)有限公司	SEAWARD
SE8119AKXLF/HF	文件：232.94 Kbytes Page：6 Pages	800mAPositiveVoltageRegulators	SEAWARDSEAWARD electronics inc 思旺北京思旺電子技術(shù)有限公司	SEAWARD
SE8119C	文件：217.55 Kbytes Page：5 Pages	800mAPositiveVoltageRegulators	SEAWARDSEAWARD electronics inc 思旺北京思旺電子技術(shù)有限公司	SEAWARD
TA8119P	文件：402.2 Kbytes Page：10 Pages	STEREOHEADPHONEAMPLIFIER(3VUSE)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TPC8119	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TPC8119	文件：206.95 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSV) Lithium-IonBatteryApplications LoadswitchApplications NotebookPCApplications ?Smallfootprintduetoasmallandthinpackage ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=10m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=24S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
UPC8119T	文件：663.95 Kbytes Page：52 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES ?Recommendedoperatingfrequency:f=100MHzto1.92GHz ?Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V ?Lowcurrentconsumption:ICC=11mATYP.@VCC=3.0V ?Gaincontrolvoltage:VAGC=0.6to2.4V(recommended) ?Twotypesofgaincontrol:μPC8119T;VAGCupvs.Gaindown(Forw	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPC8119T	文件：371.8 Kbytes Page：40 Pages	-15dBmINPUT,VARIABLEGAINAMPLIFIERSILICONMMICFORTRANSMITTERAGCOFDIGITALCELLULARTELEPHONE DESCRIPTION TheμPC8130TAandμPC8131TAaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasvariablegainamplifier.Dueto800MHzto1.5GHzoperation,theseICsaresuitableforRFtransmitterAGCstageofdigitalcellulartelephone.TheseICsarelowerdistortionthanconventionalμPC8119T	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
UPC8119T	文件：550.61 Kbytes Page：52 Pages	VARIABLEGAINAMPLIFIERSILICONMMICFORTRANSMITTERAGCOFDIGITALCELLULARTELEPHONE DESCRIPTION TheμPC8119TandμPC8120Taresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasvariablegainamplifier.Dueto100MHzto1.9GHzoperation,theseICsaresuitableforRFtransmitterAGCstageofdigitalcellulartelephone.Twotypesofgaincontrolletuserschooseinaccordancewi	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
UPC8119T	文件：720.1 Kbytes Page：4 Pages	NECsVARIABLEGAINAMPLIFIER	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC8119T	文件：40.87 Kbytes Page：3 Pages	1.9GHzAGCAMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
UTC8119	文件：96.26 Kbytes Page：5 Pages	LINERINTERFRATEDCIRCUIT	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
UZ8119	文件：91.22 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Onewattzenerdiodes,hermeticallysealedinglass. FEATURES ?HighSurgeRatings ?AQuartertheSizeofConventional1WattZeners ?ImpervioustoMoisture	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
HMC8119-SX
制造商：
Analog Devices Inc.
類別：
RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器
包裝：
盒
頻率：
81GHz ~ 86GHz
P1dB：
16dBm
電壓 - 供電：
4.5V
電流 - 供電：
175mA
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
模具
供應(yīng)商器件封裝：
模具
描述：
IC RF AMP 81GHZ-86GHZ DIE

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	HMC8119-SX	ADI(亞德諾)	23+		908	只做原裝,提供一站式配單服務(wù),代工代料。BOM配單	詢價(jià)
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