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HMS10N80F	文件：502.55 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Super Junction MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
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IXFA10N80P	文件：353.97 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFA10N80P	文件：155.12 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET PolarHV?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackages ●AvalancheRated ●LowPackageInductance ●EasytoDriveandtoProtect Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings ●HighPowerDensity Applicati	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFA10N80P	文件：332.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IXFH10N80P	文件：372.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH10N80P	文件：155.12 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET PolarHV?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackages ●AvalancheRated ●LowPackageInductance ●EasytoDriveandtoProtect Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings ●HighPowerDensity Applicati	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP10N80	文件：295.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFP10N80P	文件：397.35 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IXFQ10N80	文件：316.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFQ10N80P	文件：155.12 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET PolarHV?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackages ●AvalancheRated ●LowPackageInductance ●EasytoDriveandtoProtect Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings ●HighPowerDensity Applicati	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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JCS10N80C	文件：851.18 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Switchedmodepower suppliesy ?Electronicballast FEATURES ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical8.6pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS10N80FC-F-B	文件：851.18 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Switchedmodepower suppliesy ?Electronicballast FEATURES ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical8.6pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS10N80FC-F-BR	文件：851.18 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Switchedmodepower suppliesy ?Electronicballast FEATURES ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical8.6pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
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更多HMS10N80F供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-10 18:32:00

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