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HN3C10FUTE85LF 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 Toshiba Semiconductor and Stor

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原廠料號：HN3C10FUTE85LF品牌：Toshiba Semiconductor and Stor

全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷

HN3C10FUTE85LF是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商Toshiba Semiconductor and Stor/Toshiba Semiconductor and Storage生產封裝US6/6-TSSOP，SC-88，SOT-363的HN3C10FUTE85LF晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    HN3C10FUTE85LF

  • 規(guī)格書：

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  • 資料說明：

    TRANSISTOR NPN US6

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    HN3C10FUTE85LF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    2 NPN（雙）

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    7GHz

  • 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益：

    11.5dB

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 20mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    80mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應商器件封裝：

    US6

  • 描述：

    RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市鵬順微電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯系人：

    楊先生

  • 手機：

    13682380609

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-88850894/13682380609

  • 傳真：

    0755-88850894

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強賽格電子市場69樓6904B-6905A室

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