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IRFP2907ZPBF

HEXFETPowerMOSFET

VDSS=75V RDS(on)=4.5m? ID=90A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemp

IRF

International Rectifier

IRFP2907ZPBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

JS2907

Rad-hard60V,0.6APNPtransistor

Features ?Hermeticpackages ?ESCCqualified ?100krad Description The2N2907AHRisabipolartransistorabletooperateundersevereenvironment conditionsandradiationexposureprovidinghighimmunitytototalionizingdose (TID). QualifiedasperESCC5202/001specificationandava

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

JSR2907

Rad-hard60V,0.6APNPtransistor

Features ?Hermeticpackages ?ESCCqualified ?100krad Description The2N2907AHRisabipolartransistorabletooperateundersevereenvironment conditionsandradiationexposureprovidinghighimmunitytototalionizingdose (TID). QualifiedasperESCC5202/001specificationandava

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

KMBT2907

PNPGeneralPurposeAmplifier

■Features ●CollectorCurrenttoContinuous:IC=-600mA ●PowerDissipation:PD=250mW

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

KMBT2907A

PNPTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

KMBT2907AT

PNPTransistors

■Features ●SmallPackage ●ComplementarytoMMBT2222AT

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

KN2907

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.);VCE=-30V,VEB=-0.5V. ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.);IC=-150mA,IB=-15mA. ?ComplementarytotheKN2222/2222A.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KN2907

TO-92PACKAGE

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KN2907

EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

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更多HPN2907供應商 更新時間2025-4-28 17:43:00

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