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IRF1010EPBF

AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRF1010ES

PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A??

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

IRF

International Rectifier

IRF1010ES

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF1010ESPBF

HEXFETPowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

IRF

International Rectifier

IRF1010ESPBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRF1010EZ

AUTOMOTIVEMOSFET

Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi

IRF

International Rectifier

IRF1010EZ

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF1010EZ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF1010EZL

AUTOMOTIVEMOSFET

Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi

IRF

International Rectifier

IRF1010EZLPBF

AUTOMOTIVEMOSFET

Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HSA1010RJ

  • 制造商：

    TE Connectivity Passive Product

  • 類別：

    電阻器 > 底座安裝電阻器

  • 系列：

    HS, CGS

  • 包裝：

    散裝

  • 容差：

    ±5%

  • 功率 (W)：

    16W

  • 成分：

    繞線

  • 溫度系數(shù)：

    ±50ppm/°C

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 200°C

  • 涂層，外殼類型：

    鋁

  • 安裝特性：

    法蘭

  • 大小 / 尺寸：

    0.827" 長 x 0.827" 寬（21.00mm x 21.00mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    0.433"（11.00mm）

  • 引線樣式：

    焊片

  • 封裝/外殼：

    軸向，盒

  • 描述：

    RES CHAS MNT 10 OHM 5% 16W

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TE
24+
con
35960
查現(xiàn)貨到京北通宇商城
 詢價
TE Connectivity
2402+
NA
6680
優(yōu)勢代理渠道,原裝現(xiàn)貨,可全系列訂貨
 詢價
TE/泰科
2508+
/
287692
一級代理，原裝現(xiàn)貨
 詢價
華昕
23+
TO92
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
HS
06+
原廠原裝
551
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應
 詢價
HS
2022+
100
全新原裝 貨期兩周
 詢價
華昕
07+
TO-92
900
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
TE
24+
con
2500
優(yōu)勢庫存,原裝正品
 詢價
TO-92
23+
NA
15659
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!
 詢價
原裝AME/INC
23+
TO-92
5000
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
更多HSA1010RJ供應商 更新時間2025-5-26 9:31:00

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