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HSMS-8202-BLKG

Surface Mount Microwave Schottky Mixer Diodes

AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED

安華高

HSMS-8202-BLKG

包裝：散裝 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 射頻 描述：RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23

Broadcom Limited

Broadcom Limited

Broadcom Limited

IRFH8202

OR-ingMOSFETfor12V(typical)Busin-RushCurrent

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRFH8202PBF

CompatiblewithExistingSurfaceMountTechniques

IRF

International Rectifier

IRFH8202PBF

OR-ingMOSFETfor12V(typical)Busin-RushCurrent

IRF

International Rectifier

IRFH8202TRPBF

OR-ingMOSFETfor12V(typical)Busin-RushCurrent

IRF

International Rectifier

IRFH8202TRPBF

OR-ingMOSFETfor12V(typical)Busin-RushCurrent

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

ISL8202M

3ASingleChannelHighEfficiencyDC/DCStep-DownPowerModule

Intersil

Intersil Corporation

ISL8202M

3ASingleChannelHighEfficiencyDC/DCStep-DownPowerModule

Features ?3Asinglechannelcompletepowersupply -Integratescontroller,MOSFETsandinductor -Pincompatiblewiththe5AISL8205M ?2.6Vto5.5Vinputvoltagerange ?Adjustableoutputvoltagerange -Aslowas0.6Vwith±1.6accuracyover line/load/temperature -Upto95efficiency

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ISL8202MIRZ-T

3ASingleChannelHighEfficiencyDC/DCStep-DownPowerModule

Features ?3Asinglechannelcompletepowersupply -Integratescontroller,MOSFETsandinductor -Pincompatiblewiththe5AISL8205M ?2.6Vto5.5Vinputvoltagerange ?Adjustableoutputvoltagerange -Aslowas0.6Vwith±1.6accuracyover line/load/temperature -Upto95efficiency

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

L8202

MULTIFUNCTIONANALOGASIC

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

ME8202

MicrOneNajing Micro One Electronics Inc.

南京微盟南京微盟電子有限公司

PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司

MHW8202B

CATVAMPLIFIERMODULE

TheRFLine CATVAmplifierModule Description ?24VdcSupply,40to870MHz,CATVForwardAmplifier Features ?Specifiedfor77–,110–and128–ChannelLoading ?ExcellentDistortionPerformance ?SiliconBipolarTransistorTechnology ?UnconditionallyStableUnderAllLoadConditions App

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MMA8202EG

DigitalX-AxisorZ-AxisAccelerometer

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MMA8202EG

DigitalX-AxisorZ-AxisAccelerometer

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MMA8202EG

DigitalX-AxisorZ-AxisAccelerometer

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

NGB8202AN

Gate??mitterESDProtection

Description ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver?Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvoltageandhighcurrent

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

NGB8202AN

IgnitionIGBT20A,400V,N.ChannelD2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGB8202N

20A,400V,N-ChannelD2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGB8202N

IgnitionIGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HSMS-8202-BLKG

  • 制造商：

    Broadcom Limited

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 二極管類型：

    肖特基 - 1 對串聯(lián)

  • 電壓 - 峰值反向（最大值）：

    4V

  • 不同?Vr、F 時電容：

    0.26pF @ 0V，1MHz

  • 不同?If、F 時電阻：

    14 歐姆 @ 5mA，1MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
AVAGO全系列□
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