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HY27UF081G2M-VPIB中文資料海力士數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

HY27UF081G2M-VPIB
廠商型號(hào)

HY27UF081G2M-VPIB
功能描述

1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
文件大小

476.81 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

48 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Hynix Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Hynix【海力士】

中文名稱

海力士半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-19 17:22:00
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HY27UF081G2M-VPIB規(guī)格書(shū)詳情

SUMMARY DESCRIPTION

The HYNIX HY27(U/S)F(08/16)1G2M series isa 128Mx8bit with spare 4Mx8 bit capacity. The device is offered in 1.8V Vcc Power Supply and in 3.3V Vcc Power Supply. Its NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid state mass storage market The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased. The device contains 1024 blocks, composed by 64 pages consisting in two NAND structures of 32 series connected Flash cells.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    HY27UF081G2M-VPIB

  • 制造商：

    HYNIX

  • 制造商全稱：

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述：

    1Gbit(128Mx8bit/64Mx16bit) NAND Flash Memory

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
HY
25+
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