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HYB25D512800C集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
HYB25D512800C |
參數(shù)屬性 | HYB25D512800C 封裝/外殼為66-TSSOP(szeroko?? 0,400",10,16mm);包裝為托盤托盤;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II |
功能描述 | DDR SDRAM |
封裝外殼 | 66-TSSOP(szeroko?? 0,400",10,16mm) |
文件大小 |
1.87519 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
37 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Qimonda AG |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
QIMONDA |
中文名稱 | Qimonda AG官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-24 20:00:00 |
人工找貨 | HYB25D512800C價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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HYB25D512800C規(guī)格書詳情
HYB25D512800C屬于集成電路(IC)的存儲(chǔ)器。由Qimonda AG制造生產(chǎn)的HYB25D512800C存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
HYB25D512800CE-6
- 制造商:
Qimonda
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
托盤托盤
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
DRAM
- 技術(shù):
SDRAM - DDR
- 存儲(chǔ)容量:
512Mb(64M x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 電壓 - 供電:
2.3V ~ 2.7V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
66-TSSOP(szeroko?? 0,400",10,16mm)
- 供應(yīng)商器件封裝:
66-TSOP II
- 描述:
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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