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IDT6116SA20SO	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT6116SA20SO	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）；包裝：卷帶（TR）類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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IDT6116SA20SOI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）；包裝：卷帶（TR）類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
IDT6116SA20SOI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）；包裝：卷帶（TR）類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
IDT6116SA20P	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT6116SA20PI	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT6116SA20TDB	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT6116SA20TP	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT6116SA20TPI	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
IDT6116SA20SO
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
卷帶（TR）
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 異步
存儲(chǔ)容量：
16Kb（2K x 8）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
寫周期時(shí)間 - 字，頁：
20ns
電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
24-SOIC
描述：
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市福安甌科技有限公司	IDT6116SA20SO	IDT	22+	SMD	2891	⊙⊙新加坡大量現(xiàn)貨庫存,深圳常備現(xiàn)貨!歡迎查詢!⊙	詢價(jià)
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