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70V3579S6BF8

HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IDT70V3579S6BF8

  • 功能描述:

    IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA

  • RoHS:

  • 類別:

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    - 格式 -

  • 存儲器:

    RAM

  • 存儲器類型:

    SRAM - 雙端口,同步

  • 存儲容量:

    1.125M(32K x 36)

  • 速度:

    5ns

  • 接口:

    并聯(lián)

  • 電源電壓:

    3.15 V ~ 3.45 V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼:

    256-LBGA

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    256-CABGA(17x17)

  • 包裝:

    帶卷(TR)

  • 其它名稱:

    70V3579S5BCI8

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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208-CABGA(15x15)
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更多IDT70V3579S6BF8供應(yīng)商 更新時間2025-2-19 16:30:00