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7164S20DB

CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

7164S20DGI

CMOSStaticRAM64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164S20TDB

CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

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CMOSStaticRAM64K

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CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

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Integrated Device Technology, Inc.

7164S20TPGI

CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

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瑞薩瑞薩科技有限公司

7164S20YG

CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

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7164S20YGI

CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IDT7164S20YG

  • 功能描述：

    IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    閃存

  • 存儲器類型：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    4G（256M x 16）

  • 速度：

    -

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C

  • 封裝/外殼：

    48-TFSOP（0.724，18.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    48-TSOP I

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 其它名稱：

    557-1461-6

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IDT
23+
28-SOJ
24840
專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價格優(yōu)勢!
 詢價
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24+
28SOJ
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原裝現(xiàn)貨
 詢價
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22+
28SOJ
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
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21+
28SOJ
13880
公司只售原裝,支持實單
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28SOJ
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原裝正品，支持實單
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28-SOJ
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全新原裝優(yōu)勢
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只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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更多IDT7164S20YG供應(yīng)商 更新時間2025-3-17 16:31:00

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