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71V424L10YGI8

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(512Kx8-Bit)

Features ◆512Kx8advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆JEDECCenterPower/GNDpinoutforreducednoise ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:10/12/15ns ◆Single3.3Vpowersupply ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputs

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V424L10YGI8

3.3VCMOSStaticRAM

Description TheIDT71V424isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas512Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IDT71V424L10YGI8

  • 功能描述：

    IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    2,000

  • 系列：

    MoBL® 格式 -

  • 存儲器：

    RAM

  • 存儲器類型：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    16M（2M x 8，1M x 16）

  • 速度：

    45ns

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    2.2 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    48-VFBGA

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    48-VFBGA（6x8）

  • 包裝：

    帶卷(TR)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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更多IDT71V424L10YGI8供應(yīng)商 更新時間2025-2-12 9:21:00

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