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IDT71V424L15PH	文件：19.28 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71V424isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas512Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-he-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V424L15PH	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：卷帶（TR）類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
IDT71V424L15PHG	文件：19.28 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71V424isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas512Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-he-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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IDT71V424L15PHI	文件：19.28 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71V424isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas512Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-he-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V424L15PHI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：卷帶（TR）類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
IDT71V424L15PHI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：卷帶（TR）類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
IDT71V424L15Y	文件：19.28 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSSTATICRAM4MEG(512Kx8-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71V424isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas512Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-he-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V424L15YG	文件：19.28 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSSTATICRAM4MEG(512Kx8-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71V424isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas512Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-he-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V424L15YGI	文件：19.28 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSSTATICRAM4MEG(512Kx8-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71V424isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas512Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-he-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
IDT71V424L15PH
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
卷帶（TR）
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 異步
存儲(chǔ)容量：
4Mb（512K x 8）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：
15ns
電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
44-TSOP II
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IDT71V424L15PH	IDT	09+	TSOP44	5500	原裝無鉛,優(yōu)勢(shì)熱賣	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IDT71V424L15PH	IDT	23+	44PINTSOPTYP	9526		詢價(jià)
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