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IDT71V424S12Y集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IDT71V424S12Y
廠商型號

IDT71V424S12Y

參數(shù)屬性

IDT71V424S12Y 封裝/外殼為36-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

功能描述

3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT)

封裝外殼

36-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

19.28 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-23 23:00:00

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IDT71V424S12Y規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

The IDT71V424 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 512K x 8. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-he-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high-speed memory needs.

FEATURES:

? 512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM

? JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise

? Equal access and cycle times

— 12/15/20ns

? Single 3.3V power supply

? One Chip Select plus one Output Enable pin

? Bidirectional data inputs and outputs directly TTL-compatible

? Low power consumption via chip deselect

? Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IDT71V424S12Y

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術:

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    12ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    36-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    36-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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