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IRFP064

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP064

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP064

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFP064

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP064

PowerMOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Ultralowon-resistance ?Verylowthermalresistance ?Isolatedcentralmountinghole ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9991

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP064N

PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.008ohm,Id=110A??

FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigne

IRF

International Rectifier

IRFP064N

AdvancedProcessTechnology

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFP064N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFP064N

類型：N溝道漏源電壓(Vdss)：55V連續(xù)漏極電流(Id)：110A功率(Pd)：200W導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,59AN溝道,55V,110A,8mΩ@10V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PDF上傳者：深圳市亞泰盈科電子有限公司

IRFP064N

N-ChannelMOSFET

Description TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrial applicationswherehigherpowerlevelsprecludetheuseof TO-220devices.TheTO-247issimilarbutsuperiortothe earlierTO-218packagebecauseofitsisolatedmounting hole. AdvancedProcessTechnology UltraLow

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IF-064C-W供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-30 10:16:00

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